已经是UFS 3.1时代了,也是该看看iNAND MC EU521了
从2019年底开始,手机界就相继向5G变革,到了现在的2020年,5G对手机的影响更是巨大,手机的核心配置也就会为了迎合5G而作出优化。
对于用户来说,5G可能最多彰显在网速上:3秒下载一部影片,可以实现触摸式付款,想想都让人兴奋。并且对于厂商而言,5G意味着更先进的配置、更高昂的成本。
2020年被称为是5G全面爆发的一年,尽管才2月份,并且早已有许多5G手机面世了。这种手机不仅处理器,最引人关注的自然就是储存问题了。
网速变快,读写设施也一定要跟得上,不然如何谈畅享5G呢?而贴心的设计者们早就为用户考虑周到了,前段时间,推出了一款专门为5G订制的闪存新产品。
最新刚才规范了UFS3.1闪存,推出的这款名为iNANDMCEU521,是专门是为了5G研制的产品。
iNANDMCEU521完全匹配5G的下载速率,可以更快完成读写任务,但是经过好多次改良,iNANDMCEU521确保不会导致储存上的性能困局。其拥有高达800MB/s的turbo次序写入速率,可以实现云端传输大文件与游戏储存,也就是说完全可以依赖闪存就可以打游戏,不会再出现由于文件过大造成显存不足的情况了。
目前,闪存有128GB和256GB两种容量可供选择,相信不久后各大企业的手机都可以搭载这些新型闪存,为5G时代添砖加瓦,进而构建更完美的5G手机。
目前智能手机最终的就是更高的性能和更大的容量,在这点上勿必要做好,应用于游戏、音乐、电影等多种人们娱乐环境下。
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